GENESISPasta Termoconductoare GENESIS SILICON 900 4g, conductivitate 12.8W/mK, densitate relativa 2.8/cm3, temperatura de mediu intre -50/250°C● STOCVezi produsul
GENESISPasta Termoconductoare GENESIS SILICON 900 2g, conductivitate 12.8W/mK, densitate relativa 2.8/cm3, temperatura de mediu intre -50/250°C✕ EPUIZATVezi produsul
GENESISPasta Termoconductoare GENESIS SILICON 900 8g, conductivitate 12.8W/mK, densitate relativa 2.8/cm3, temperatura de mediu intre -50/250°C✕ EPUIZATVezi produsul